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IPB072N15N3G	文件：744.54 Kbytes Page：11 Pages	丝印：072N15N；Package：PG-TO263-3；3 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr 文件：744.54 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
072N15N	文件：744.54 Kbytes Page：11 Pages	3 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr 文件：744.54 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

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更多072N15N供应商更新时间2026-10-26 11:04:00