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073N13N6	文件：1.59269 Mbytes Page：11 Pages	型号：IPP073N13NM6；Package：PG-TO220-3；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 135 V Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •100avalanchetested •175°Coperatingtemperature •Optimizedformotordrivesandbatterypoweredapplications •Pb-freeleadpla	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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073N13N6

文件：1.59269 Mbytes

Page：11 Pages

型号：IPP073N13NM6；Package：PG-TO220-3；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 135 V

Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •100avalanchetested •175°Coperatingtemperature •Optimizedformotordrivesandbatterypoweredapplications •Pb-freeleadpla

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

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更多073N13N6供应商更新时间2025-7-31 15:10:00

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