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060N10NS	文件：420.02 Kbytes Page：10 Pages	型号：BSC060N10NS3G；Package：PG-TDSON-8；OptiMOS3 Power-Transistor Features •Verylowgatechargeforhighfrequencyapplications •Optimizedfordc-dcconversion •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •150°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Qualifiedac	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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060N10NS

文件：420.02 Kbytes

Page：10 Pages

型号：BSC060N10NS3G；Package：PG-TDSON-8；OptiMOS3 Power-Transistor

Features •Verylowgatechargeforhighfrequencyapplications •Optimizedfordc-dcconversion •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •150°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Qualifiedac

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

详细参数

型号：
060N10NS
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
MOSFET N-Channel 100V 14.9A TDSON8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多060N10NS供应商更新时间2025-7-31 13:01:00

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