BSC060N10NS3G芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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BSC060N10NS3G	文件：420.02 Kbytes Page：10 Pages	丝印：060N10NS；Package：PG-TDSON-8；OptiMOS3 Power-Transistor Features • Very low gate charge for high frequency applications • Optimized for dc-dc conversion • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 150 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified ac 文件：420.02 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多060N10NS供应商更新时间2025-9-21 13:01:00