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06035J0R7PBSTR

包装:卷带(TR)剪切带(CT) 封装/外壳:0603(1608 公制) 类别:电容器 薄膜电容器 描述:CAP THIN FILM 0.7PF 50V 0603

KyOCERA

KYOCERA AVX

06035J0R7PBSTR\\500

包装:卷带(TR) 类别:电容器 薄膜电容器 描述:ACCU-F/P

KyOCERA

KYOCERA AVX

06035J0R7ABSTR

EdgeQAMGainStage

TriQuint

TriQuint Semiconductor, Inc.

06035J0R7BBS

HeterostructureFieldEffectTransistor(GaAsHFET)

250--4000MHz,12dB22.5dBmGaAsHFETGPA TheMMH3111NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputprematched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    06035J0R7PBSTR

  • 制造商:

    KYOCERA AVX

  • 类别:

    电容器 > 薄膜电容器

  • 系列:

    Accu-P®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 容差:

    ±0.02pF

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    0603(1608 公制)

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 特性:

    RF,高 Q 值,低损耗

  • 大小 / 尺寸:

    0.063" 长 x 0.032" 宽(1.60mm x 0.81mm)

  • 高度 - 安装(最大值):

    0.029"(0.73mm)

  • 描述:

    CAP THIN FILM 0.7PF 50V 0603

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更多06035J0R7PBSTR供应商 更新时间2024-5-27 12:00:00