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06035J2R0BBS	文件：468.79 Kbytes Page：15 Pages	Heterostructure Field Effect Transistor (GaAs HFET) 250--4000 MHz, 12 dB 22.5 dBm GaAs HFET GPA The MMH3111NT1 is a general purpose amplifier that is internally input and output prematched. It is designed for a broad range of Class A, small--signal, high linearity, general purpose applications. It is suitable for applications with frequencies from 文件：468.79 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
06035J2R0BBSTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：0603（1608 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电容器薄膜电容器描述：CAP THIN FILM 2PF 50V 0603	KSS 京瓷	KSS
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