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06035J2R0BBS

Heterostructure Field Effect Transistor (GaAs HFET)

250--4000MHz,12dB22.5dBmGaAsHFETGPA TheMMH3111NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputprematched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

06035J2R0BBSTR

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳:0603(1608 公制) 类别:电容器 薄膜电容器 描述:CAP THIN FILM 2PF 50V 0603

KyOCERA

KYOCERA AVX

06035J2R0BBSTR-500

包装:卷带(TR) 类别:电容器 薄膜电容器 描述:ACCU-F/P

KyOCERA

KYOCERA AVX

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更多06035J2R0BBS供应商 更新时间2024-9-24 15:45:00