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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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06035J0R8BBS | Heterostructure Field Effect Transistor (GaAs HFET) 250--4000 MHz, 12 dB 22.5 dBm GaAs HFET GPA The MMH3111NT1 is a general purpose amplifier that is internally input and output prematched. It is designed for a broad range of Class A, small--signal, high linearity, general purpose applications. It is suitable for applications with frequencies from 文件：468.79 Kbytes 页数：15 Pages | 恩XP | 恩XP | |
06035J0R8BBS | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers 文件：571.74 Kbytes 页数：14 Pages | 恩XP | 恩XP | |
Package：0603（1608 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：电容器 薄膜电容器 描述：CAP THIN FILM 0.8PF 50V 0603 | KSS 京瓷 | KSS | ||
SMD | Coilcraft/线艺 | Coilcraft/线艺 | ||
贴片电容 | 风华/FH 上传：君宇国际实业有限公司 | 风华/FH |
详细参数
- 型号：
06035J0R8BBS
- 功能描述：
多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 50volts 0.8pF ACCU-P
- RoHS：
否
- 制造商：
American Technical Ceramics(ATC)
- 电容：
10 pF
- 容差：
1 %
- 电压额定值：
250 V
- 温度系数/代码：
C0G(NP0) 外壳代码 -
- in：
0505 外壳代码 -
- mm：
1414
- 工作温度范围：
- 55 C to + 125 C
- 产品：
Low ESR MLCCs
- 封装：
Reel
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