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IPB051N15NM6	文件：723.41 Kbytes Page：11 Pages	Marking：051N15N6；Package：PG-TO263-3；MOSFET OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 150 V Features •N‑channel,normallevel •Verylowon‑resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •100%avalanchetested •Pb‑freeleadplating;RoHScompliant •Halogen‑freeaccordingtoIEC61249‑2‑21 •MSL1classifiedaccordingtoJ‑STD‑020	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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IPB051N15NM6

文件：723.41 Kbytes

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Marking：051N15N6；Package：PG-TO263-3；MOSFET OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 150 V

Features •N‑channel,normallevel •Verylowon‑resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •100%avalanchetested •Pb‑freeleadplating;RoHScompliant •Halogen‑freeaccordingtoIEC61249‑2‑21 •MSL1classifiedaccordingtoJ‑STD‑020

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

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更多051N15N6供应商更新时间2025-5-25 14:02:00

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