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IPB051N15NM6中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

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厂商型号

IPB051N15NM6

功能描述

MOSFET OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 150 V

丝印标识

051N15N6

封装外壳

PG-TO263-3

文件大小

723.41 Kbytes

页面数量

11

生产厂商

Infineon

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-8 22:59:00

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IPB051N15NM6规格书详情

特性 Features

• N‑channel, normal level

• Very low on‑resistance RDS(on)

• Superior thermal resistance

• 100% avalanche tested

• Pb‑free lead plating; RoHS compliant

• Halogen‑free according to IEC61249‑2‑21

• MSL 1 classified according to J‑STD‑020

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