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040N06N	文件：1.33413 Mbytes Page：11 Pages	Superiorthermalresistance Features •OptimizedforhighperformanceSMPS,e.g.sync.rec. •100avalanchetested •Superiorthermalresistance •N-channel •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FDI040N06	文件：298.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=168A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmod	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDI040N06	文件：521.71 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET60V,168A,4.0mW	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP040N06	文件：332.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=168A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.0mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP040N06	文件：592.2 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET60V,168A,4.0m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IIPP040N06N	文件：337.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPA040N06N	文件：260.97 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPA040N06N	文件：1.33413 Mbytes Page：11 Pages	Superiorthermalresistance Features •OptimizedforhighperformanceSMPS,e.g.sync.rec. •100avalanchetested •Superiorthermalresistance •N-channel •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPP040N06N	文件：337.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPP040N06N	文件：501.39 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSTMPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPP040N06N	文件：1.02174 Mbytes Page：2 Pages	NewOptiMOS??40Vand60V	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
NVLJWD040N06CL	文件：138.6 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-Power,DualN-Channel60V,38m,18A Features •SmallFootprintforCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVLJWD040N06CLTWG	文件：138.6 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-Power,DualN-Channel60V,38m,18A Features •SmallFootprintforCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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更多040N06NMOSFETIGBTIC供应商更新时间2024-6-14 16:16:00

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