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BSZ023N04LS	文件：1.02174 Mbytes Page：2 Pages	NewOptiMOS??40Vand60V	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IIPP023N04N	文件：338.92 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IPB023N04N	文件：244.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IPB023N04NG	文件：246.18 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPP023N04N	文件：338.92 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IPP023N04NG	文件：246.18 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
NVLJWD023N04CL	文件：140.82 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET–Power,DualN-Channel40V,23m,25A Features •SmallFootprintforCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NVLJWD023N04CLTAG	文件：140.82 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET–Power,DualN-Channel40V,23m,25A Features •SmallFootprintforCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
TF023N04NG	文件：4.35827 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET ●GeneralDescription TheTF023N04NGusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. ●Features Advancedeviceconstructure LowRDS(ON)tominimizeconductionloss LowGateChargeforfastswitchin	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司

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