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NP180N04TUK_V01	文件：759.7 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description NP180N04TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ･Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.05mMAX.(VGS=10V,ID=90A) ･LowCissCiss=10500pFTYP.(VDS=25V) ･Designedforautomotiveapplication	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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NP180N04TUK_V01

文件：759.7 Kbytes

Page：8 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description NP180N04TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ･Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.05mMAX.(VGS=10V,ID=90A) ･LowCissCiss=10500pFTYP.(VDS=25V) ･Designedforautomotiveapplication

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