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NP23N06YDG

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP23N06YDGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=27mΩMAX.(VGS=10V,ID=11.5A) •LowCiss:Ciss=1200pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Logicleveldrivetype •Des

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NP23N06YDG

Product Scout Automotive

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NP23N06YDG-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP23N06YDGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=27mΩMAX.(VGS=10V,ID=11.5A) •LowCiss:Ciss=1200pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Logicleveldrivetype •Des

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NP23N06YDG-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP23N06YDGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=27mΩMAX.(VGS=10V,ID=11.5A) •LowCiss:Ciss=1200pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Logicleveldrivetype •Des

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NP23N06YDG_15

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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SG23N06DT

DiscreteIGBTs

SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司

SG23N06DT

DiscreteIGBTs

SIRECTSirectifier Global Corp.

矽莱克半导体矽莱克半导体有限公司(深圳)

SG23N06T

DiscreteIGBTs

SIRECTSirectifier Global Corp.

矽莱克半导体矽莱克半导体有限公司(深圳)

SG23N06T

DiscreteIGBTs

SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司

SUD23N06

SUD23N06

FEATURES VDS(V)=60V ID=30A(VGS=10V) RDS(ON)25m(VGS=10V) RDS(ON)30m(VGS=4.5V)

UMWUMW

友台友台半导体

详细参数

  • 型号:

    NP23N06YDG

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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更多NP23N06YDG供应商 更新时间2024-5-17 19:03:00