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NP24N10CLB	文件：239.31 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffect Transistordesignedforhighcurrentswitching applications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=80mΩMAX.(VGS=10V,ID=12A) RDS(on)2	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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