选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
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VISHAY/威世SOT252 |
12500 |
23+ |
SUD23N06-31L-T4-E3原装 特价 百分百原装现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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VISHAY(威世)TO-252 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
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UMW 友台TO-252 |
35000 |
23+ |
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原装正品,实单请联系 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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VISHAY/威世TO-252 |
3908 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
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VISHAYTO-252 |
12000 |
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专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市云美电子科技有限公司2年
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VISHAY/威世TO-252 |
97500 |
22+ |
只做原装进口现货 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
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VISHAY/威世TO-252 |
97500 |
23+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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VISHAY/威世TO252 |
7906200 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
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VISHAYSOT252 |
5000 |
14+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
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VISHAY/威世货真价实,假一罚十 |
25000 |
TO-252 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
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二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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VISHAY/威世TO-252 |
31518 |
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原装正品 可含税交易 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
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提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
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UMW(广东友台半导体)TO-252 |
5000 |
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诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
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VISHAY原装NA |
30000 |
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VISHAY元件原装/现货支持供应,库存变动详询 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
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VishayDPAK(TO-252) |
50000 |
2024+ |
原装现货 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
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VISHAYTO0252 |
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受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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全新原装真实库存含13点增值税票! |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司11年
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VISHAY/威世TO-252 |
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原厂VIP渠道,亚太地区一级代理商,可提供更多数量! |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
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SUD23N06-31-GE3价格
SUD23N06-31-GE3价格:¥1.7499品牌:Vishay
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SUD23N06中文资料Alldatasheet PDF
更多SUD23N06制造商:SHENZHENFREESCALE 制造商全称:ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd 功能描述:N-Channel 60 V(D-S) 175 ?°C MOSFET
SUD23N06-31制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V(D-S), MOSFET
SUD23N06-31_08制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V(D-S), MOSFET
SUD23N06-31_11制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60 V(D-S), MOSFET
SUD23N06-31-GE3功能描述:MOSFET N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUD23N06-31L功能描述:MOSFET 60V 23A 100W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUD23N06-31L-E3功能描述:MOSFET 60V 23A 100W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUD23N06-31L-T4-E3功能描述:MOSFET N-CH D-S 60V TO252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SUD23N06-31-T4-GE3功能描述:MOSFET N-CH D-S 60V TO252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件