| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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深圳市正迈科技有限公司8年
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深圳宝隆芯业科技有限公司4年
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
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深圳市科雨电子有限公司4年
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
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深圳市科雨电子有限公司4年
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深圳市科雨电子有限公司4年
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SUD23N06-31-T4-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SUD23N06-31-T4-GE3功能描述:MOSFET N-CH D-S 60V TO252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
