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NP180N04TUK-E1-AY	文件：759.7 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description NP180N04TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ･Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.05mMAX.(VGS=10V,ID=90A) ･LowCissCiss=10500pFTYP.(VDS=25V) ･Designedforautomotiveapplication	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description NP180N04TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ･Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.05mMAX.(VGS=10V,ID=90A) ･LowCissCiss=10500pFTYP.(VDS=25V) ･Designedforautomotiveapplication

RENESASRenesas Electronics America

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP180N04TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.05mΩMAX.(VGS=10V,ID=90A) •LowCiss:Ciss=10500pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplic

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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详细参数

型号：
NP180N04TUK-E1-AY
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
SINGLE MOSFET, NCH, 40V, TO263-7P - Tape and Reel
功能描述：
MOSFET N-CH 40V 180A TO-263

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