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Description TheNP180N055TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.40mMAX.(VGS=10V,ID=90A) LowCiss:Ciss=10700pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplication

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