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NP180N055TUK-E1-AY	文件：270.42 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP180N055TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.40mMAX.(VGS=10V,ID=90A) LowCiss:Ciss=10700pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplication	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP180N055TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.40mMAX.(VGS=10V,ID=90A) LowCiss:Ciss=10700pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplication

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP180N055TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.40mΩMAX.(VGS=10V,ID=90A) •LowCiss:Ciss=10700pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplicati

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详细参数

型号：
NP180N055TUK-E1-AY
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
MOSFET - Rail/Tube
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 180A TO-263

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