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IXGR60N60U1

LowV-CE(sat) IGBT with Diode ISOPLUS247-TM (Electrically Isolated Back Surface)

Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation •Lowcollectortotabcapacitance(

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXGR60N60U1

包装:管件 封装/外壳:TO-247-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 75A 300W ISOPLUS247

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

产品属性

  • 产品编号:

    IXGR60N60U1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,60A

  • 开关能量:

    16mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    50ns/600ns

  • 测试条件:

    480V,60A,2.7 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    ISOPLUS247™

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 300W ISOPLUS247

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更多IXGR60N60U1供应商 更新时间2024-5-15 15:30:00