选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-268 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-268 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司3年
留言
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IXYSTO268 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-268 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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IXYSTO-268 |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO268 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-268 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO-268-3,D?Pak(2 引线 + 接片 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-268 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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IXYSTO-268 |
56800 |
19+ |
只卖原装正品!价格超越代理!可开增值税发票! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-268 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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深圳兆威电子有限公司6年
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IXYS/艾赛斯TO-268 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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IXYS-艾赛斯TO-268 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司3年
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IXYSTO268 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
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IXYS/艾赛斯TO-268 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
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IXYSTO-268 |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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IXYSTO268 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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IXYS/艾赛斯TO-268 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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IXYSTO-268-3,D?Pak(2 引线 + 接片 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
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IXYS/艾赛斯TO-268 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
IXGT40N60B2采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IXGT40N60B2图片
IXGT40N60B2D1中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGT40N60B2功能描述:IGBT 晶体管 40 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGT40N60B2D1功能描述:IGBT 晶体管 40 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
IXGT40N60B2
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
HiPerFAST™
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.7V @ 15V,30A
- 开关能量:
400µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
18ns/130ns
- 测试条件:
400V,30A,3.3 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
- 供应商器件封装:
TO-268AA
- 描述:
IGBT 600V 75A 300W TO268