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IXGT20N100	文件：56.89 Kbytes Page：2 Pages	IGBT Features •Internationalstandardpackages JEDECTO-268surfaceandJEDECTO-247AD •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •S	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGT20N100	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1000V 40A 150W TO268	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXFH20N100P	文件：124.29 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFR20N100	文件：329.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=640mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFR20N100P	文件：113.02 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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产品属性

产品编号：
IXGT20N100
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，20A
开关能量：
3.5mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/350ns
测试条件：
800V，20A，47 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
供应商器件封装：
TO-268AA
描述：
IGBT 1000V 40A 150W TO268

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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