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IXGA20N100	文件：111.79 Kbytes Page：2 Pages	IGBT Features •Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •Switch-modeand	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGA20N100	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1000V 40A 150W TO263	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
BW-20N100W	文件：191.99 Kbytes Page：2 Pages	N-TypeFixedAttenuator	MINIMini-Circuits 微型电路	MINI
IXFH20N100P	文件：336.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.57Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH20N100P	文件：124.29 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFR20N100	文件：329.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=640mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFR20N100P	文件：113.02 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFT20N100P	文件：124.29 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH20N100	文件：56.89 Kbytes Page：2 Pages	IGBT Features •Internationalstandardpackages JEDECTO-268surfaceandJEDECTO-247AD •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •S	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGP20N100	文件：111.79 Kbytes Page：2 Pages	IGBT Features •Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •Switch-modeand	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGT20N100	文件：56.89 Kbytes Page：2 Pages	IGBT Features •Internationalstandardpackages JEDECTO-268surfaceandJEDECTO-247AD •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •S	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

产品属性

产品编号：
IXGA20N100
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，20A
开关能量：
3.5mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/350ns
测试条件：
800V，20A，47 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
TO-263AA
描述：
IGBT 1000V 40A 150W TO263

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