| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-3P |
23600 |
21+ |
十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IXYSTO-3P |
100 |
10+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IXYSTO-247 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IXYSTO-247 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯NA/ |
8630 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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IXYSTO-3P |
18000 |
23+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-247 |
68900 |
IXYS |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IXYSTO-247 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-247-3 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IXYSTO247 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IXYSTO-247 |
2050 |
18+ |
公司大量全新原装 正品 随时可以发货 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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IXYSTO-3P |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
1300 |
23+ |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
1300 |
23+ |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
IXGH17N100采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IXGH17N100图片
IXGH17N100价格
IXGH17N100价格：￥31.1618品牌：IXYS
生产厂家品牌为IXYS的IXGH17N100多少钱，想知道IXGH17N100价格是多少？参考价：￥31.1618。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IXGH17N100批发价格及采购报价，IXGH17N100销售排行榜及行情走势，IXGH17N100报价。
IXGH17N100中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGH17N100功能描述:IGBT 晶体管 17 Amps 1000V 4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH17N100A功能描述:IGBT 晶体管 17 Amps 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH17N100AU1功能描述:IGBT 晶体管 17 Amps 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH17N100U1功能描述:IGBT 晶体管 17 Amps 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
IXGH17N100
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.5V @ 15V，17A
- 开关能量：
3mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
100ns/500ns
- 测试条件：
800V，17A，82 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 1000V 34A 150W TO247AD
