选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-268 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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IXYSTO-268 |
65500 |
2019+ |
原装正品货到付款,价格优势! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO268 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司3年
留言
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IXYSTO268 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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IXYSN/A |
18 |
1931+ |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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IXYSNA |
18 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO268 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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IXYSTO-268 |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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IXYSTO-268 |
326 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IXYSTO268 |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO-268-3,D?Pak(2 引线 + 接片 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-268 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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IXYSTO-268 |
326 |
1809+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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IXYSTO268 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-268 |
43000 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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艾睿国际(香港)有限公司2年
留言
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IXYS/艾赛斯TO268 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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IXYS/艾赛斯TO268 |
6500 |
23+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO268 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司3年
留言
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IXYSTO268 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市宝芯创电子有限公司9年
留言
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IXYS/艾赛斯TO268 |
29488 |
0828+ |
进口原管原盒现货/30 |
IXGT32N90B2采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IXGT32N90B2图片
IXGT32N90B2D1中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGT32N90B2功能描述:IGBT 晶体管 32 Amps 900V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGT32N90B2D1功能描述:IGBT 晶体管 32 Amps 900V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
IXGT32N90B2
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
HiPerFAST™
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.7V @ 15V,32A
- 开关能量:
2.6mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
20ns/260ns
- 测试条件:
720V,32A,5 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
- 供应商器件封装:
TO-268AA
- 描述:
IGBT 900V 64A 300W TO268