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IXGT28N60B	文件：596.36 Kbytes Page：5 Pages	Low V IGBT Features ●Internationalstandardpackages ●LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ●ACmotorspeedcontrol ●DCservoandrobotdrives ●DCchoppers ●Uninterruptiblepowersup	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGT28N60B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 40A 150W TO268	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGT28N60BD1	文件：57.31 Kbytes Page：2 Pages	Low VCE(sat) IGBT with Diode Features •Internationalstandardpackages •IGBTandanti-parallelFREDinonepackage •LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers •Uninterruptiblep	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGT28N60BD1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 40A 150W TO268	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
FIR28N60ANG	文件：3.27432 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
IXFK28N60	文件：70.95 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFET™PowerMOSFETs N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •Internationalstandardpackages •EpoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Avalancheenergyandcurrentrated •	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFK28N60	文件：328.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=28A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFQ28N60	文件：312.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=28A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=260mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXGH28N60B	文件：596.36 Kbytes Page：5 Pages	LowVIGBT Features ●Internationalstandardpackages ●LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ●ACmotorspeedcontrol ●DCservoandrobotdrives ●DCchoppers ●Uninterruptiblepowersup	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
SIHB28N60EF	文件：216.55 Kbytes Page：9 Pages	EFSeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHF28N60EF	文件：171.99 Kbytes Page：8 Pages	EFSeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHF28N60EF	文件：320.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHF28N60EF	文件：174.59 Kbytes Page：9 Pages	EFSeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode FEATURES •FastbodydiodeMOSFETusingEseries technology •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM):RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •LowswitchinglossesduetoreducedQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fo	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHG28N60EF	文件：445.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHG28N60EF	文件：219.92 Kbytes Page：10 Pages	EFSeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode FEATURES •FastbodydiodeMOSFETusingEseries technology •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM):RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •LowswitchinglossesduetoreducedQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fo	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHG28N60EF	文件：177.64 Kbytes Page：9 Pages	EFSeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHH28N60E	文件：161.99 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Completelylead(Pb)-freedevice •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Kelvinconnectionforreducedgatenoise •Materialcategorization:forde	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHH28N60E	文件：179.19 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHP28N60EF	文件：173.59 Kbytes Page：8 Pages	EFSeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode FEATURES •FastbodydiodeMOSFETusingEseries technology •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM):RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •LowswitchinglossesduetoreducedQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fo	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHP28N60EF	文件：293.63 Kbytes Page：8 Pages	EFSeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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产品属性

产品编号：
IXGT28N60B
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，28A
开关能量：
2mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
15ns/175ns
测试条件：
480V，28A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
供应商器件封装：
TO-268AA
描述：
IGBT 600V 40A 150W TO268

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IXGT28N60B供应商更新时间2024-5-21 14:30:00

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