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IXGT15N120B	文件：170.73 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFAST IGBT Features ●Internationalstandardpackages JEDECTO-268surfaceandJEDECTO-247AD ●Lowswitchinglosses,lowV(sat) ●MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ●ACmotorspeedcontrol ●DCservoandrobotdrives ●DCchoppers ●Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ●S	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGT15N120B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 30A 180W TO268	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGT15N120BD1	文件：56.1 Kbytes Page：2 Pages	Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode Features •Internationalstandardpackages:JEDECTO-247AD&TO-268 •IGBTandanti-parallelFREDinonepackage •MOSGateturn-on-drivesimplicity •FastRecoveryExpitaxialDiode(FRED)-softrecoverywithlowIRM	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGT15N120B2D1	文件：76.34 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFAST IGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
BRG15N120D	文件：1.36019 Mbytes Page：9 Pages	Insulated-GateBipolarTransistorinaTO-3PPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
DTGN15N120	文件：1.50033 Mbytes Page：10 Pages	Highruggedness,temperaturestablebehavior GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,high energyefficiencyandshortcircuitruggedness. Itisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpower supplies(UPS),generalinverters. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
DTGT15N120	文件：1.4624 Mbytes Page：9 Pages	Softcurrentturn-offwaveforms GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,high energyefficiencyandhighavalancheruggednessforsoftswitching applicationsuchasIH(inductionheating),microwaveoven,etc. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,temperaturestablebehavior	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
DTGT15N120P	文件：1.45096 Mbytes Page：7 Pages	Softcurrentturn-offwaveforms GeneralDescription Din-TekIGBTsofferlowswitchinglosses,highenergyefficiency andhighavalancheruggednessforsoftswitchingapplicationsuchas IH(inductionheating),microwaveoven,etc. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highsystemefficiency ·Softcurrentturn-offwaveforms ·E	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
FGA15N120AND	文件：603.46 Kbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching GeneralDescription EmployingNPTtechnology,Fairchild’sANDseriesofIGBTsprovideslowconductionandswitchinglosses.TheANDseriesofferssolutionsforapplicationssuchasinductionheating(IH),motorcontrol,generalpurposeinvertersanduninterruptiblepowersupplies(UPS). Features	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA15N120AND	文件：574.75 Kbytes Page：8 Pages	IGBT GeneralDescription EmployingNPTtechnology,Fairchild’sANDseriesofIGBTsprovideslowconductionandswitchinglosses.TheANDseriesofferssolutionsforapplicationssuchasinductionheating(IH),motorcontrol,generalpurposeinvertersanduninterruptiblepowersupplies(UPS). Features	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA15N120ANDTU	文件：603.46 Kbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching GeneralDescription EmployingNPTtechnology,Fairchild’sANDseriesofIGBTsprovideslowconductionandswitchinglosses.TheANDseriesofferssolutionsforapplicationssuchasinductionheating(IH),motorcontrol,generalpurposeinvertersanduninterruptiblepowersupplies(UPS). Features	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA15N120ANTD	文件：843.64 Kbytes Page：9 Pages	1200VNPTTrenchIGBT Description UsingFairchildsproprietarytrenchdesignandadvancedNPTtechnology,the1200VNPTIGBTofferssuperiorconductionandswitchingperformances,highavalancheruggednessandeasyparalleloperation. Thisdeviceiswellsuitedfortheresonantorsoftswitchingapplicationsuchasi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA15N120ANTD	文件：2.55241 Mbytes Page：10 Pages	1200VNPTTrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA15N120ANTD	文件：938.21 Kbytes Page：10 Pages	1200VNPTTrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA15N120ANTDTU	文件：907.45 Kbytes Page：9 Pages	1200V,15ANPTTrenchIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGA15N120ANTDTU	文件：938.21 Kbytes Page：10 Pages	NPTTrenchTechnology,Positivetemperaturecoefficient	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
FGA15N120FTD	文件：738.91 Kbytes Page：9 Pages	1200V,15AFieldStopTrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGW15N120H	文件：567.78 Kbytes Page：6 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)1200V/15A	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FGW15N120HD	文件：643.1 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)1200V/15A Features Lowpowerloss Lowswitchingsurgeandnoise Highreliability,highruggedness(RBSOA,SCSOAetc.) Applications Uninterruptiblepowersupply Powercoditionner Powerfactorcorrectioncircuit	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FGW15N120VD	文件：670.71 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)1200V/15A Features Lowpowerloss Lowswitchingsurgeandnoise Highreliability,highruggedness(RBSOA,SCSOAetc.) Applications InverterforMotordrive ACandDCServodriveamplifer Uninterruptiblepowersupply	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji

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产品属性

产品编号：
IXGT15N120B
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
HiPerFAST™
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，15A
开关能量：
1.75mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/180ns
测试条件：
960V，15A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
供应商器件封装：
TO-268AA
描述：
IGBT 1200V 30A 180W TO268

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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