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HM15N120AT	文件：1.11138 Mbytes Page：8 Pages	1200V/15ATrenchFieldStopIGBT	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM15N120FT	文件：1.21202 Mbytes Page：8 Pages	1200V/15ATrenchFieldStopIGBT	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IHW15N120R	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IHW15N120R	文件：370.62 Kbytes Page：12 Pages	ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode Features: •PowerfulmonolithicBodyDiodewithverylowforwardvoltage •Bodydiodeclampsnegativevoltages •TrenchandFieldstoptechnologyfor1200Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highrugg	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IXGA15N120B	文件：59.66 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBT VCES=1200V IC25=30A VCE(sat)=3.2V tfi(typ)=160ns Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-220ABandTO-263AA •Lowswitchinglosses,lowV(sat) •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGA15N120C	文件：68.69 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBT Optimizedfor10-25KHzhardswitchingandupto150KHzresonantswitching Features •Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA •Lowswitchinglosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCcho	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH15N120B	文件：170.73 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFASTIGBT Features ●Internationalstandardpackages JEDECTO-268surfaceandJEDECTO-247AD ●Lowswitchinglosses,lowV(sat) ●MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ●ACmotorspeedcontrol ●DCservoandrobotdrives ●DCchoppers ●Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ●S	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH15N120C	文件：53.56 Kbytes Page：2 Pages	IGBTLightspeedSeries VCES=1200V IC25=30A VCE(sat)=3.8V tfi(typ)=115ns Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfaceandJEDECTO-247AD •Lowswitchinglosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandro	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGP15N120B	文件：59.66 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBT VCES=1200V IC25=30A VCE(sat)=3.2V tfi(typ)=160ns Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-220ABandTO-263AA •Lowswitchinglosses,lowV(sat) •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGP15N120C	文件：68.69 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBT Optimizedfor10-25KHzhardswitchingandupto150KHzresonantswitching Features •Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA •Lowswitchinglosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCcho	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGT15N120C	文件：53.56 Kbytes Page：2 Pages	IGBTLightspeedSeries VCES=1200V IC25=30A VCE(sat)=3.8V tfi(typ)=115ns Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfaceandJEDECTO-247AD •Lowswitchinglosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandro	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSA15N120B	文件：84.81 Kbytes Page：2 Pages	SSeries-ImprovedSCSOACapability Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-220ABandTO-263AA •Lowswitchinglosses,lowV(sat) •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •Switch-modeandreso	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSH15N120A	文件：36.06 Kbytes Page：2 Pages	IGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSH15N120B	文件：58.09 Kbytes Page：2 Pages	HIGHVoltageIGBT HIGHVoltageIGBT SSeries-ImprovedSCSOACapability Features •HighBlockingVoltage •EpitaxialSilicondriftregion -fastswitching -smalltailcurrent -lowswitchinglosses •MOSgateturn-onfordrivesimplicity MoldingepoxiesmeetUL94V-0 flammabilityclassif	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSP15N120B	文件：84.81 Kbytes Page：2 Pages	SSeries-ImprovedSCSOACapability Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-220ABandTO-263AA •Lowswitchinglosses,lowV(sat) •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •Switch-modeandreso	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXST15N120B	文件：58.09 Kbytes Page：2 Pages	HIGHVoltageIGBT HIGHVoltageIGBT SSeries-ImprovedSCSOACapability Features •HighBlockingVoltage •EpitaxialSilicondriftregion -fastswitching -smalltailcurrent -lowswitchinglosses •MOSgateturn-onfordrivesimplicity MoldingepoxiesmeetUL94V-0 flammabilityclassif	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
KGF15N120KDA	文件：1.56894 Mbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGF15N120NDS	文件：1.47698 Mbytes Page：7 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGH15N120NDA	文件：64.2 Kbytes Page：6 Pages	SEMICONDUCTORTECHNICALDATA	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGT15N120KDA	文件：1.56816 Mbytes Page：8 Pages	SEMICONDUCTORTECHNICALDATA	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

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产品属性

产品编号：
IXGT15N120B
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
HiPerFAST™
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，15A
开关能量：
1.75mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/180ns
测试条件：
960V，15A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
供应商器件封装：
TO-268AA
描述：
IGBT 1200V 30A 180W TO268

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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