| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市正迈科技有限公司8年
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INFINEONSIP |
20500 |
23+ |
H15R1203 IGBT 沟道 1200 V 30 A 254 W .单片体二极管的反向导通IGBT |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
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SON-12 |
15000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市正纳电子有限公司7年
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INFINEONSMD |
32078 |
ROHS环保 |
十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
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INFINEONSMD |
32078 |
23+ |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
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INFINEON/英飞凌TO247 |
13133 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-247 |
10500 |
ROHS/new original |
原装元器件供应现货支持。咨询更多现货库存,支持样 |
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深圳市硬核芯力电子科技有限公司4年
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INFINEONTO-3P |
380 |
1607+ |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
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INFINEONP-TO247-3-1 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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INFINEONTO247 |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INFINEON-英飞凌TO-247-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌P-TO247-3-1 |
92004 |
22+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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INFINEONP-TO247-3-1 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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INFINEONP-TO247-3-1 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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INFINEONP-TO247-3-1 |
8400 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEONP-TO247-3-1 |
8400 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌P-TO247-3-1 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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INFINEONTO247 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
45990 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
IHW15N120R采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IHW15N120R图片
IHW15N120R3价格
IHW15N120R3价格：￥10.0416品牌：INFINEON
生产厂家品牌为INFINEON的IHW15N120R3多少钱，想知道IHW15N120R3价格是多少？参考价：￥10.0416。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IHW15N120R3批发价格及采购报价，IHW15N120R3销售排行榜及行情走势，IHW15N120R3报价。
IHW15N120R中文资料Alldatasheet PDF
更多IHW15N120R功能描述:IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 15A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IHW15N120R2功能描述:IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 15A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IHW15N120R2XK制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247
IHW15N120R3功能描述:IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IHW15N120R3FKSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 1200V 30A 254W TO247-3
