| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市正迈科技有限公司8年
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INFINEONSIP |
20500 |
23+ |
H15R1203 IGBT 沟道 1200 V 30 A 254 W .单片体二极管的反向导通IGBT |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
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SON-12 |
15000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市正纳电子有限公司12年
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INFINEONSMD |
32078 |
23+ |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
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INFINEON/英飞凌TO247 |
13133 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
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INFINEON/英飞凌TO-247 |
12850 |
24+ |
原装正品/假一罚十/支持样品/可开发票 |
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深圳市正纳电子有限公司8年
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INFINEONSMD |
32078 |
ROHS环保 |
十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645 |
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深圳市硬核芯力电子科技有限公司4年
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INFINEONTO-3P |
380 |
1607+ |
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深圳市正纳电子有限公司11年
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INFINEON/英飞凌TO-247 |
10500 |
ROHS/new original |
原装元器件供应现货支持。咨询更多现货库存,支持样 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-247-3 |
12888 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
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INFINEONTO-247-3 |
8866 |
08+(pbfree) |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
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Infineon TechnologiesTO-247-3 |
30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEONTO-247 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-247 |
928 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
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INFINEON/英飞凌 |
45000 |
2021+ |
十年专营原装现货,假一赔十 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
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INFINEON/英飞凌TO-247 |
10000 |
22+ |
绝对原装现货热卖 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
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INFINEONSMA |
3600 |
23+ |
全新现货 |
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深圳市达恩科技有限公司10年
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InfineonNA |
3361 |
18+ |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
IHW15N120采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IHW15N120图片
IHW15N120R3价格
IHW15N120R3价格：￥10.0416品牌：INFINEON
生产厂家品牌为INFINEON的IHW15N120R3多少钱，想知道IHW15N120R3价格是多少？参考价：￥10.0416。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IHW15N120R3批发价格及采购报价，IHW15N120R3销售排行榜及行情走势，IHW15N120R3报价。
IHW15N120R3中文资料Alldatasheet PDF
更多IHW15N120R功能描述:IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 15A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IHW15N120R2功能描述:IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 15A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IHW15N120R2XK制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247
IHW15N120R3功能描述:IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IHW15N120R3FKSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 1200V 30A 254W TO247-3
