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IXGT50N60B	文件：182.8 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFAST IGBT Features •Internationalstandardpackages •HighfrequencyIGBT •LatestgenerationHDMOSTMprocess •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers •Uninterruptiblepowersuppli	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGT50N60B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 75A 300W TO268	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGT50N60B2	文件：585.66 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFASTTM IGBT B2-Class High Speed IGBTs B2-ClassHighSpeedIGBTs Features ●HighfrequencyIGBT ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ●PFCcircuits ●Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ●Switched-modeandresonant-mode powersupplies ●ACmotorspeedcontrol ●DCse	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGT50N60B2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 75A 400W TO268	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
50N60	文件：242.78 Kbytes Page：11 Pages	IGBT-FieldStopII	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
50N60	文件：153.27 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
50N60	文件：173.07 Kbytes Page：5 Pages	Polar3HiperFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
50N60G-TND-T	文件：345.38 Kbytes Page：8 Pages	50Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
50N60L-TND-T	文件：345.38 Kbytes Page：8 Pages	50Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
AIKW50N60CT	文件：1.97708 Mbytes Page：16 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryantiparallelEmitterControlleddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
DAM50N60C	文件：277.47 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
DAM50N60G	文件：234.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
DTGN50N60	文件：1.47824 Mbytes Page：10 Pages	Extremelyenhancedavalanchecapability GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,highenergy efficiencyandshortcircuitruggedness. Itisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpower supplies(UPS),generalinverters. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
FGA50N60LS	文件：493.84 Kbytes Page：7 Pages	IGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGW50N60H	文件：645.08 Kbytes Page：6 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/50A	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FGW50N60HD	文件：646.63 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/50A	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FGW50N60VD	文件：671.72 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/50A	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
G50N60F	文件：176.19 Kbytes Page：9 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
G50N60HS	文件：355.61 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration HighSpeedIGBTinNPT-technology •30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforoperationabove30kHz •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGB50N60T	文件：648.1 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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产品属性

产品编号：
IXGT50N60B
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
HiPerFAST™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，50A
开关能量：
3mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
50ns/150ns
测试条件：
480V，50A，2.7 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
供应商器件封装：
TO-268AA
描述：
IGBT 600V 75A 300W TO268

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