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ZXTP2039F分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

ZXTP2039F
厂商型号

ZXTP2039F

参数属性

ZXTP2039F 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 1A SOT23-3

功能描述

SOT23 80 volt PNP silicon planar medium power

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

161.24 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-21 20:00:00

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ZXTP2039F规格书详情

Description

This transistor combines high gain, high current operation and low saturation voltage making it ideal for power MOSFET gate driving and low loss power switching.

Features

■ Low saturation voltage for reduced power dissipation

■ 1 to 2 amp high current capability

■ Pb-free

■ SOT23 package

Applications

■ Power MOSFET gate driving

■ Low loss power switching

产品属性

  • 产品编号:

    ZXTP2039FTC

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    600mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 1A SOT23-3

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