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ZXTP2027F分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

ZXTP2027F
厂商型号

ZXTP2027F

参数属性

ZXTP2027F 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 4A SOT23-3

功能描述

60V, SOT23, PNP medium power transistor

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

439.81 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 23:00:00

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ZXTP2027F规格书详情

Features

• BVCEO > -60V

• IC = -4A High Continuous Collector Current

• ICM = -10A Peak Pulse Current

• Low Saturation Voltage -60mV Max @ IC = -1A.

• RCE(SAT) = 45mΩ at 1A for a Low Equivalent On-Resistance

• 1.2W Power Dissipation

• Complimentary NPN Type: ZXTN2018F

• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Application

• Gate Driving MOSFETs and IGBTs

• Motor Drive

• Relay, Lamp and Solenoid Drive

• High Side Switches

产品属性

  • 产品编号:

    ZXTP2027FTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    240mV @ 200mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    165MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 4A SOT23-3

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