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ZXTP2014ZQ中文资料PNP, 140V, 3A, SOT89数据手册Diodes规格书

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厂商型号

ZXTP2014ZQ

参数属性

ZXTP2014ZQ 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT89 T\u0026R

功能描述

PNP, 140V, 3A, SOT89
PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT89 T\u0026R

封装外壳

TO-243AA

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 10:21:00

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ZXTP2014ZQ规格书详情

描述 Description

This bipolar junction transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirement of automotive applications.

特性 Features

•BVCEO > -140V
•IC = -3A Continuous Collector Current
•ICM = -10A Peak Pulse Current
•Very Low Saturation Voltage
•RSAT = 85mΩ @ IC -3A for Low Equivalent On-Resistance\\
•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
•Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)\\
•The ZXTP2014ZQ is suitable for automotive applications requiring specific change control and is AEC-Q101 qualified,is PPAP capable, and is manufactured in IATF16949:2016 certified facilities.

应用 Application

• Motor Driving

• Line Switching

• High Side Switches

• Subscriber Line Interface Cards (SLIC)

简介

ZXTP2014ZQ属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的ZXTP2014ZQ晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :ZXTP2014ZQ

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance(Only Automotive supports PPAP)

    :Automotive

  • Polarity

    :PNP

  • IC (A)

    :3

  • ICM (A)

    :10

  • PD (W)

    :2.1

  • hFE (Min)

    :100

  • hFE (@ IC) (A)

    :0.01

  • hFE(Min 2)

    :45

  • hFE (@ IC2) (A)

    :3

  • VCE(sat) Max (mV)

    :60

  • VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)

    :0.1/5

  • VCE(sat) (Max.2) (mV)

    :115

  • VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)

    :1/100

  • fT (MHz)

    :120

  • RCE(sat) (mΩ)

    :85

  • Packages

    :SOT89

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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