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ZXTP2013G中文资料PNP, 100V, 5A, SOT223数据手册Diodes规格书

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厂商型号

ZXTP2013G

参数属性

ZXTP2013G 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 5A SOT223-3

功能描述

PNP, 100V, 5A, SOT223
TRANS PNP 100V 5A SOT223-3

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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ZXTP2013G规格书详情

描述 Description

Packaged in the SOT223 outline this new low saturation 100V PNP transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions.

应用 Application

• Motor Driving

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• Line Switching

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• High Side Switches

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• Subscriber Line Interface Cards (SLIC)

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\t\t\t\tProduct Specifications

简介

ZXTP2013G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的ZXTP2013G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :ZXTP2013G

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance(Only Automotive supports PPAP)

    :Standard

  • Polarity

    :PNP

  • IC (A)

    :5

  • ICM (A)

    :10

  • PD (W)

    :3

  • hFE (Min)

    :100

  • hFE (@ IC) (A)

    :0.01

  • hFE(Min 2)

    :25

  • hFE (@ IC2) (A)

    :3

  • VCE(sat) Max (mV)

    :30

  • VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)

    :0.1/10

  • VCE(sat) (Max.2) (mV)

    :150

  • VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)

    :2/200

  • fT (MHz)

    :125

  • RCE(sat) (mΩ)

    :60

  • Packages

    :SOT223

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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