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ZXTNS618MC中文资料PDF规格书

ZXTNS618MC
厂商型号

ZXTNS618MC

参数属性

ZXTNS618MC 封装/外壳为8-WDFN 裸露焊盘;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 20V 4.5A DFN3020B-8

功能描述

20V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR AND 40V, 1A SCHOTTKY DIODE COMBINATION DUAL

文件大小

270.82 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES达尔科技

中文名称

达尔科技官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-14 13:49:00

ZXTNS618MC规格书详情

Features and Benefits

NPN Transistor

• BVCEO > 20V

• IC = 4.5A Continuous Collector Current

• Low Saturation Voltage (150mV max @ 1A)

• RSAT = 47mΩ for a low equivalent On-Resistance

• hFE characterized up to 6A for high current gain hold up

Schottky Diode

• BVR > 40V

• IFAV = 3A Average Peak Forward Current

• Low VF < 500mV (@1A) for reduced power loss

• Fast switching due to Schottky barrier

Low profile 0.8mm high package for thin applications

RθJA efficient, 40 lower than SOT26

6mm2 footprint, 50 smaller than TSOP6 and SOT26

Lead-Free, RoHS Compliant (Note 1)

Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 2)

Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Applications

• DC – DC Converters

• Charging circuits

• Mobile phones

• Motor control

• Portable applications

产品属性

  • 产品编号:

    ZXTNS618MCTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN + 二极管(隔离式)

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    270mV @ 125mA,4.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    25nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    140MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-WDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    DFN3020B-8

  • 描述:

    TRANS NPN 20V 4.5A DFN3020B-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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