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ZXTN620MA中文资料PDF规格书

ZXTN620MA
厂商型号

ZXTN620MA

参数属性

ZXTN620MA 封装/外壳为3-UDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 80V 3.5A DFN2020B-3

功能描述

80V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR

文件大小

162.76 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES达尔科技

中文名称

达尔科技官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-3 17:09:00

ZXTN620MA规格书详情

Features and Benefits

• BVCEO > 80V

• IC = 3.5A Continuous Collector Current

• Low Saturation Voltage (185mV max @ 1A)

• RSAT = 68 mΩ for a low equivalent On-Resistance

• hFE specified up to 5A for high current gain hold up

• Low profile 0.6mm high package for thin applications

• RθJA efficient, 60 lower than SOT23

• 4mm2 footprint, 50 smaller than SOT23

• Lead-Free, RoHS Compliant (Note 1)

• Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 2)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Applications

• MOSFET Gate Driving

• DC–DC Converters

• Charging circuits

• Motor Control

• Power switches

产品属性

  • 产品编号:

    ZXTN620MATA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    325mV @ 300mA,3.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    25nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 200mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    160MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-UDFN

  • 供应商器件封装:

    DFN2020B-3

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 3.5A DFN2020B-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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