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ZXTN2011Z中文资料PDF规格书

ZXTN2011Z
厂商型号

ZXTN2011Z

参数属性

ZXTN2011Z 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 100V 4.5A SOT89-3

功能描述

100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89

文件大小

121.16 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES达尔科技

中文名称

达尔科技官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-1 10:36:00

ZXTN2011Z规格书详情

Features

• BVCEO > 100V

• IC = 4.5A high Continuous Current

• ICM = 10A Peak Pulse Current

• RCE(sat) = 31mΩ for a low equivalent On-Resistance

• Low saturation voltage VCE(sat) < 60mV @ IC = 1A

• hFE specified up to 10A for high current gain hold up

• Lead-Free Finish; RoHS compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Applications

• Motor driving

• Line switching

• High side switches

• Subscriber line interface cards (SLIC)

产品属性

  • 产品编号:

    ZXTN2011ZTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    195mV @ 500mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    130MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89-3

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 4.5A SOT89-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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