ZXTN2011G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 | ZXTN2011G | 
| 参数属性 | ZXTN2011G 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 6A SOT223-3 | 
| 功能描述 | 100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 | 
| 封装外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 
| 文件大小 | 135.61 Kbytes | 
| 页面数量 | 6 页 | 
| 生产厂商 | Zetex | 
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 19:10:00 | 
| 人工找货 | ZXTN2011G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 | 
产品属性
- 产品编号:ZXTN2011GTA 
- 制造商:Diodes Incorporated 
- 类别:分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 
- 晶体管类型:NPN 
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):220mV @ 500mA,5A 
- 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 2A,2V 
- 频率 - 跃迁:130MHz 
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 
- 安装类型:表面贴装型 
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 
- 供应商器件封装:SOT-223-3 
- 描述:TRANS NPN 100V 6A SOT223-3 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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