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ZXTN2007G 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 DIODES/美台半导体

ZXTN2007G参考图片

图片仅供参考,请参阅产品规格书

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1+
1000+
  • 厂家型号:

    ZXTN2007G

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    DIODES-美台

  • 库存数量:

    78800

  • 产品封装:

    SOT-223

  • 生产批号:

    24+25+/26+27+

  • 库存类型:

    常用库存

  • 更新时间:

    2025-11-19 16:16:00

  • 详细信息
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原厂料号:ZXTN2007G品牌:DIODES-美台

一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

ZXTN2007G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。制造商DIODES-美台/Diodes Incorporated生产封装SOT-223/TO-261-4,TO-261AA的ZXTN2007G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

  • 芯片型号:

    ZXTN2007G

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    DIODES【美台半导体】详情

  • 厂商全称:

    Diodes Incorporated

  • 内容页数:

    6 页

  • 文件大小:

    141.28 kb

  • 资料说明:

    30V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223

产品属性

更多
  • 类型

    描述

  • 制造商编号

    :ZXTN2007G

  • 生产厂家

    :达尔

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :On Request*

  • Product Type

    :NPN

  • IC (A)

    :7 A

  • ICM (A)

    :20 A

  • PD (W)

    :3 W

  • hFE (min)

    :100 Min

  • hFE(@ IC)

    :1 A

  • hFE(Min 2)

    :100

  • hFE(@ IC2)

    :7 A

  • VCE (SAT)Max (mV)

    :65 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A)

    :3/300

  • VCE (SAT)(Max.2)

    :220 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :1/20

  • fT (MHz)

    :140 MHz

  • RCE(SAT)

    :N/A mΩ

  • Packages

    :SOT223

供应商

  • 企业:

    深圳市川科科技有限公司

  • 商铺:

    进入商铺留言

  • 联系人:

    刘先生

  • 手机:

    13147005145

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