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ZXTD6717E6TC	文件：112.74 Kbytes Page：7 Pages	COMPLEMENTARY NPN/PNP LOW SATURATION DUAL TRANSISTORS DESCRIPTION This new combination device comprises a complementary NPN and PNP low saturation transistor housed in the SOT23-6 package. Users benefit from very efficient performance combining a high current operation, exceptionally low VCE(sat) and high HFE resulting in extremely low on state loss 文件：112.74 Kbytes 页数：7 Pages	Zetex	Zetex
ZXTD6717E6TC	文件：124.62 Kbytes Page：7 Pages	COMPLEMENTARY NPN/PNP LOW SATURATION DUAL TRANSISTORS Features and Benefits • Pd = 1.1W in SOT26 Package • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability • PPAP Capable (Note 4) NPN Transistor • BVCEO > 15V • IC = 1.5A C 文件：124.62 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTD6717E6	文件：112.74 Kbytes Page：7 Pages	COMPLEMENTARY NPN/PNP LOW SATURATION DUAL TRANSISTORS DESCRIPTION This new combination device comprises a complementary NPN and PNP low saturation transistor housed in the SOT23-6 package. Users benefit from very efficient performance combining a high current operation, exceptionally low VCE(sat) and high HFE resulting in extremely low on state loss 文件：112.74 Kbytes 页数：7 Pages	Zetex	Zetex
ZXTD6717E6	文件：124.62 Kbytes Page：7 Pages	COMPLEMENTARY NPN/PNP LOW SATURATION DUAL TRANSISTORS Features and Benefits • Pd = 1.1W in SOT26 Package • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability • PPAP Capable (Note 4) NPN Transistor • BVCEO > 15V • IC = 1.5A C 文件：124.62 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTD6717E6TA	文件：124.62 Kbytes Page：7 Pages	COMPLEMENTARY NPN/PNP LOW SATURATION DUAL TRANSISTORS Features and Benefits • Pd = 1.1W in SOT26 Package • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability • PPAP Capable (Note 4) NPN Transistor • BVCEO > 15V • IC = 1.5A C 文件：124.62 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
ZXTD6717E6TC
功能描述：
两极晶体管 - BJT Comp Dual
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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