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ZXT3M322中文资料MPPS Miniature Package Power Solutions 40V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR数据手册Diodes规格书

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厂商型号

ZXT3M322

参数属性

ZXT3M322 封装/外壳为3-PowerSMD,引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 40V 3A 3MLP/DFN

功能描述

MPPS Miniature Package Power Solutions 40V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
TRANS PNP 40V 3A 3MLP/DFN

封装外壳

3-PowerSMD,引线

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 11:12:00

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ZXT3M322规格书详情

简介

ZXT3M322属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的ZXT3M322晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

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  • 产品编号:

    ZXT3M322TA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    370mV @ 250mA,2.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    25nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 1.5A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    190MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-PowerSMD,引线

  • 供应商器件封装:

    3-MLP/DFN(2x2)

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 3A 3MLP/DFN

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