ZXT1M322中文资料12V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
ZXT1M322 |
| 参数属性 | ZXT1M322 封装/外壳为3-PowerSMD，引线；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 12V 4A 3MLP/DFN |
| 功能描述 | 12V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR |
| 封装外壳 | 3-PowerSMD，引线 |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 14:31:00 |
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ZXT1M322规格书详情
简介
ZXT1M322属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的ZXT1M322晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
ZXT1M322TA
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 150mA，4A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
25nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
180 @ 2.5A，2V
- 频率 - 跃迁：
110MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-PowerSMD，引线
- 供应商器件封装：
3-MLP/DFN（2x2）
- 描述：
TRANS PNP 12V 4A 3MLP/DFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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