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FCX495TA

文件：475.23 Kbytes

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150VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT89

Features •BVCEO>150V •IC=1AHighContinuousCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

FCX495TC

文件：475.23 Kbytes

Page：6 Pages

150VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT89

Features •BVCEO>150V •IC=1AHighContinuousCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

FMMT495

文件：36.39 Kbytes

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PowerHighPerformanceTransistor

Features ●SOT23NPNsiliconplanarmedium

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

FMMT495

文件：127.69 Kbytes

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SOT23NPNSILICONPLANARMEDIUM

Feature •BVCEO>150V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •500mWPowerDissipation •hFECharacterisedupto1AforHighCurrentGainHoldUp •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

FMMT495

文件：135.94 Kbytes

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NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHPERFORMANCETRANSISTOR

SOT23NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHPERFORMANCETRANSISTOR

Zetex

Zetex Semiconductors

FMMT495

文件：2.02865 Mbytes

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SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURE LowVCE(sat) hFEcharacterisedupto1Aforhighcurrentgainholdup Forgeneralamplification

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

FMMT495QTA

文件：209.15 Kbytes

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150VNPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

FMMT495QTA

文件：209.15 Kbytes

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150VNPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

FMMT495QTA

文件：485.96 Kbytes

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150VNPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

FMMT495TA

文件：209.15 Kbytes

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150VNPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

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ZXC-495XJLC
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ZXCD1000
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