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ADF4106BRUZ-RL	文件：361.29 Kbytes Page：24 Pages	PLLFrequencySynthesizer GENERALDESCRIPTION TheADF4106frequencysynthesizercanbeusedtoimplementlocaloscillatorsintheup-conversionanddown-conversionsectionsofwirelessreceiversandtransmitters.Itconsistsofalownoise,digitalphasefrequencydetector(PFD),aprecisionchargepump,aprogrammablere	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADF4106BRUZ-RL	文件：361.29 Kbytes Page：24 Pages	PLLFrequencySynthesizer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AMS4106	文件：430.49 Kbytes Page：11 Pages	5ASYNCHRONUSPWMBUCKCONVERTER GENERALDESCRIPTION TheAMS4106isamediumoutputcurrentsynchronousbuckconverter.Thehighsidedeviceisintegratedintothedevice.TheAMS4106providesanadaptivegatedrivefortheexternalFET.ForlowcurrentoperationthiscanbereplacedwithaSchottkydiodeallowingasynchronouso	ADMOS Advanced Monolithic Systems	ADMOS
AMS4106S	文件：430.49 Kbytes Page：11 Pages	5ASYNCHRONUSPWMBUCKCONVERTER GENERALDESCRIPTION TheAMS4106isamediumoutputcurrentsynchronousbuckconverter.Thehighsidedeviceisintegratedintothedevice.TheAMS4106providesanadaptivegatedrivefortheexternalFET.ForlowcurrentoperationthiscanbereplacedwithaSchottkydiodeallowingasynchronouso	ADMOS Advanced Monolithic Systems	ADMOS
AN4106	文件：3.48448 Mbytes Page：39 Pages	Thisdocumentdescribesa12V-1Apowersupply	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
AOD4106	文件：138.32 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD4106usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasalowsideswitchinSMPSandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOD4106isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOD4106Lis	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD4106	文件：319.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8.1mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOI4106	文件：959.91 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOI4106	文件：331.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=53A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=70mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ASM4106C	文件：461.9 Kbytes Page：7 Pages	VERYLOW-COSTVOICESYNTHESIZERWITH4-BITMICROPROCESSOR	APLUS Aplus Intergrated Circuits	APLUS

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详细参数

型号：
ZVN4106F
制造商：
Diodes Incorporated
功能描述：
MOSFET N SOT-23
功能描述：
MOSFET, N, SOT-23
功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 60V, 200mA SOT-23; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
200mA; Drain Source Voltage
Vds：
60V; On Resistance
Rds(on)：
2.5ohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
3V ;RoHS
Compliant：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	ZVN4106F	SEMTECH	23+	TSSOP	5000	原装正品,假一罚十	询价
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深圳诚思涵科技有限公司	ZVN4106F	Diodes	19+	SOT-23	200000		询价
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