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ZVN2120G	文件：40.43 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET FEATURES: * VDS - 200V * RDS(ON) - 10Ω 文件：40.43 Kbytes 页数：3 Pages	ZETEX	ZETEX
ZVN2120G	文件：51.44 Kbytes Page：3 Pages	SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Features and Benefits • V(BR)DSS > 200V • RDS(ON) ≤ 10 Ω @ VGS = 10V • Maximum Continuous Drain Current ID = 0.32A • Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability Applications • 文件：51.44 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZVN2120GTA	文件：51.44 Kbytes Page：3 Pages	SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Features and Benefits • V(BR)DSS > 200V • RDS(ON) ≤ 10 Ω @ VGS = 10V • Maximum Continuous Drain Current ID = 0.32A • Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability Applications • 文件：51.44 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZVN2120GTA-TP	文件：2.87811 Mbytes Page：5 Pages	丝印：2120G；Package：SOT223；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GENERAL FEATURES Vos = 200V mo=10A @Vos = 10v. Ros $1350 @Vos = 10V 507-223 package. 文件：2.87811 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
ZVN2120G_15	文件：601.76 Kbytes Page：6 Pages	200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL MOSFET IN SOT223 文件：601.76 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZVN2120G	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
200 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.32 A
PD @ TA = +25°C：
2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
10000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT223

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