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B857	文件：32.67 Kbytes Page：5 Pages	SiliconPNPTripleDiffused Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SD1133and2SD1134	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BA857F	文件：375.7 Kbytes Page：3 Pages	Motorspeedandphasecontrol	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BB857	文件：13.66 Kbytes Page：3 Pages	SiliconTuningDiode(ForSAT-indoor-unitsHighcapacitanceratioLowseriesinductance) SiliconTuningDiode •ForSAT-indoor-units •Highcapacitanceratio •Lowseriesinductance •Lowseriesresistance •ExtremelysmallplasticSMDpackage •Excellentuniformityandmatchingduetoin-linematchingassemblyprocedure	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BB857	文件：405.59 Kbytes Page：3 Pages	SiliconTuningDiode SiliconTuningDiode •ForSATtuners •Highcapacitanceratio •Lowseriesresistance •Excellentuniformityandmatchingduetoin-linematchingassemblyprocedure •Pb-free(RoHScompliant)package	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BB857	文件：76.24 Kbytes Page：7 Pages	SiliconTuningDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BB857	文件：881.67 Kbytes Page：8 Pages	SiliconTuningDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC857	文件：47.94 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BC846andBC847. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC857	文件：44.9 Kbytes Page：5 Pages	SMALLSIGNALPNPTRANSISTORS SMALLSIGNALPNPTRANSISTORS ■SILICONEPITAXIALPLANARPNPTRANSISTORS ■MINIATUREPLASTICPACKAGEFORAPPLICATIONINSURFACEMOUNTINGCIRCUITS ■VERYLOWNOISEAFAMPLIFIER ■NPNCOMPLEMENTSFORBC857ISBC847	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BC857	文件：231.74 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalTransistors(PNP) FEATURES ◆PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorsforswitchingandAFamplifierapplications. ◆Especiallysuitedforautomaticinsertioninthick-andthin-filmcircuits. ◆ThesetransistorsaresubdividedintothreegroupsA,BandCaccordingtotheircurrentgain.ThetypeBC856isavail	GE GE Industrial Company	GE
BC857	文件：68.65 Kbytes Page：5 Pages	SwitchingandAmplifierApplications Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC859,BC860 •ComplementtoBC846...BC850	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

产品属性

产品编号：
ZTX857STOB
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 600mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，10V
频率 - 跃迁：
80MHz
工作温度：
-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
E-Line-3
供应商器件封装：
E-Line（TO-92 兼容）
描述：
TRANS NPN 300V 3A E-LINE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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