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CJZM718	文件：3.06388 Mbytes Page：7 Pages	N-chMOSFETandPNPTransistor	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
CM718	文件：33.95 Kbytes Page：1 Pages	Sub-MidgetFlangeBase,WireTerminal	VCC Visual Communications Company	VCC
CM718	文件：226.72 Kbytes Page：1 Pages	T-1WireTerminal(standard) T-1WireTerminal(standard) T-1Sub-MidgetFlangeBase	CMLCML CML	CML
CNX718	文件：164.06 Kbytes Page：2 Pages	dome-shapedclearlens	VCC Visual Communications Company	VCC
DC718B	文件：1.3937 Mbytes Page：3 Pages	SCHEMATICQUICKDATSDEMOSYSTEM	LINERLinear Technology 线性技术公司	LINER
DC718C	文件：1.36138 Mbytes Page：3 Pages	18BITDATAACQUISITIONSYSTEM	LINERLinear Technology 线性技术公司	LINER
DRA718	文件：4.90637 Mbytes Page：440 Pages	InfotainmentApplicationsProcessor	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
DRA718	文件：62.5 Kbytes Page：3 Pages	AutomotiveApplicationsProcessorsTechnicalBrief	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
DSK-718	文件：128.509 Kbytes Page：5 Pages	POWERDIVIDERS0쨘:2-WAY	SYNERGY Synergy Microwave Corporation	SYNERGY
FCX718	文件：50.24 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR FEATURES 2WPOWERDISSIPATION 6APeakPulseCurrent ExcellentHFECharacteristicsupto6Amps ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.16mvTyp. *ExtremelyLowEquivalentOn-resistance;RCE(sat)96mΩat2.5A	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FCX718	文件：71.08 Kbytes Page：3 Pages	SOT89PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR Features •BVCEO=-20V •IC=-2.5AContinuousCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FCX718	文件：52.1 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconPowerSwitchingTransistor Features ●2Wpowerdissipation. ●6Apeakpulsecurrent. ●ExcellentHFEcharacteristicsupto6Amps. ●ExtremelylowsaturationvoltageE.g.16mvTyp. ●Extremelylowequivalenton-resistance.RCE(sat)96mΩat2.5A.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FCX718TA	文件：71.08 Kbytes Page：3 Pages	SOT89PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR Features •BVCEO=-20V •IC=-2.5AContinuousCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FMMT718	文件：1.13809 Mbytes Page：4 Pages	PNPTransistor Features ●ForSwitchingandAmplifierApplications. ●ExtremelyLowSaturationVoltage ●ComplementarytoNPNType:FMMT618	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
FMMT718	文件：183 Kbytes Page：7 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR FEATURES 625mWPOWERDISSIPATION ICCONT2.5A ICUpTo10APeakPulseCurrent ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FMMT718	文件：440.66 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features •BVCEO>-12V •IC=-2.5AContinuousCollectorCurrent •ICM=-10APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageE.g.-17mVMax@IC=-100mA. •RCE(sat)=72mΩat2.5Aforalowequivalenton-resistance •625mWpowerdissipation •hFEcharacterisedupto-10Aforhighcurrentgai	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FMMT718	文件：450.95 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconPlanarHighPerformanceTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •ExtremelyLowSaturationVoltage •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Marking:718	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
FMMT718	文件：367.43 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features •BVCEO>-100V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2.5APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FMMT718	文件：355.42 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS FEATURES 625mWPOWERDISSIPATION ICCONT2.5A ICUpTo10APeakPulseCurrent ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT718	文件：37.84 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingTransistor Features ●625mWpowerdissipation. ●ICCONT2.5A. ●ICupto10Apeakpulsecurrent. ●Excellenthfecharacteristicsupto10A(pulsed). ●Extremelylowsaturationvoltagee.g.10mVtyp.. ●Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat).	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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产品属性

产品编号：
ZTX718STZ
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
260mV @ 200mA，2.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 2A，2V
频率 - 跃迁：
180MHz
工作温度：
-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
E-Line-3，成型引线
供应商器件封装：
E-Line（TO-92 兼容）
描述：
TRANS PNP 20V 2.5A E-LINE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ZTX718STZ供应商更新时间2024-5-15 11:39:00

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