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EPC1027H	文件：17.2 Kbytes Page：1 Pages	EthernetDC/DCConverter	PCA PCA ELECTRONICS INC.	PCA
EPR1027	文件：54.63 Kbytes Page：1 Pages	T1/CEPT/ISDN-PRIInterfaceTransformers	PCA PCA ELECTRONICS INC.	PCA
F1027	文件：40.11 Kbytes Page：2 Pages	PATENTEDGOLDMETALIZEDSILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERVDMOSTRANSISTOR GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetime	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet
FDB-1027	文件：108.67 Kbytes Page：3 Pages	SFP/SFPEvaluationBoard	Finisar Finisar Corporation.	Finisar
FDJ1027P	文件：1.11161 Mbytes Page：6 Pages	P-Channel1.8VSpecifiedPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDJ1027P	文件：134.91 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel1.8VSpecifiedPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMA1027P	文件：108.33 Kbytes Page：6 Pages	DualP-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription Thisdeviceisdesignedspecificallyasasinglepackagesolutionforthebatterychargeswitchincellularhandsetandotherultra-portableapplications.ItfeaturestwoindependentP-ChannelMOSFETswithlowon-stateresistanceforminimumconductionlosses.Whenconnectedi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMA1027P	文件：845.86 Kbytes Page：7 Pages	DualP-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMA1027P	文件：863.56 Kbytes Page：7 Pages	DualP-ChannelPowerTrench짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMA1027PT	文件：294.76 Kbytes Page：6 Pages	DualP-ChannelPowerTrench짰MOSFET-20V,-3A,120m廓 GeneralDescription Thisdeviceisdesignedspecificallyasasinglepackagesolutionforthebatterychargeswitchincellularhandsetandotherultra-portableapplications.ItfeaturestwoindependentP-ChannelMOSFETswithlowon-stateresistanceforminimumconductionlosses.Whenconnectedi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
ZS1027-T
功能描述：
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 27V 250W
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
极性：
Bidirectional
击穿电压：
58.9 V
钳位电压：
77.4 V
峰值浪涌电流：
38.8 A
封装/箱体：
DO-214AB
最小工作温度：
- 55 C
最大工作温度：
+ 150 C

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