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DSS4160DS-7

丝印:ZN9;Package:SOT26;60V DUAL NPN LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT26

Features BVCEO > 60V IC = 1A high Continuous Collector Current ICM = 2A Peak Pulse Current RCE(sat) = 100mΩ for a Low Equivalent On-Resistance Low Saturation Voltage VCE(sat)

文件:243.03 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DSS4160T-7

丝印:ZN9;Package:SOT23;60V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23

Features BVCEO > 60V IC = 1A High Continuous Collector Current ICM = 2A Peak Pulse Current RCE(sat) = 280mΩ for a Low Equivalent On-Resistance Low Saturation Voltage VCE(sat)

文件:327.41 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DSS4160TQ-7

丝印:ZN9;Package:SOT23;60V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23

Features BVCEO > 60V IC = 1A High Continuous Collector Current ICM = 2A Peak Pulse Current RCE(sat) = 280mΩ for a Low Equivalent On-Resistance Low Saturation Voltage VCE(sat)

文件:327.41 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

详细参数

  • 型号:

    ZN9

  • 功能描述:

    MOSFET SS Low Sat Transisto SOT23 T&R 3K

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多ZN9供应商 更新时间2026-1-17 18:54:00