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佛山市芯光达科技有限公司

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DIODES(美台)SOT-23-6

11344

23+

进口原装假一赔十可开增值票

柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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SOT23-6

700000

23+

公主请下单 柒号只做原装

深圳市航宇科工半导体有限公司

3年 留言
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DIODES/美台SOT23-6

200000

23+

有挂就有货,只做原装免费送样-可BOM配单

深圳市英博尔电子有限公司

4年 留言
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美台DIODESSOT23-

30000

22+

原装优质现货订货渠道商

深圳市金嘉锐电子有限公司

8年 留言
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DIODESSOT23-6

32560

2024+

原装优势绝对有货

深圳市汇莱威科技有限公司

11年 留言
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DIODES/美台SOT236

7906200

深圳市科恒伟业电子有限公司

2年 留言
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DIODES/美台SOT23-6

9800

22+

只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

5年 留言
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    深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1016号宝华大厦A座、B座A座16层1611室/亚太地区XILINX、ALTERA、LATTICE、AD、TI、ST、infineon、NXP、Microchip一级代理商

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DIODESSOT23-6

15000

21+

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

京海半导体(深圳)有限公司

2年 留言
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DIODESSOT23-6

10000

22+

只做原装,支持实单,来电咨询。

深圳市弘为电子有限公司

9年 留言
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DIODESZETNA

30000

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100%全新原装 假一赔十

千层芯半导体(深圳)有限公司

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ZETEXSOT-23-6

5810

17+

只做原装正品

深圳市纳艾斯科技有限公司

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DIODESSOT-163

80000

2020+

只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

深圳市兴灿科技有限公司

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DIODES/美台SOT236

25500

23+

授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售

深圳市恒意法电子有限公司

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Diodes IncorporatedSOT-23-6

2460

21+

正规渠道/品质保证/原装正品现货

深圳市凯斯宇科技有限公司

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Diodes/ZetexICGATEDRVRIGBT/MOSFETSOT

5058

2022

原厂原装正品,价格超越代理

佛山市芯光达科技有限公司

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Diodes(达尔)SOT-23-6

6990

23+

进口原装假一赔十可开增值票

深圳市柯尔基电子有限公司

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    深圳市福田区华强电子佳和B座1301 上海 市虹口区密云路477号-203 柜台新亚洲电子市场

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XLSEMITO-252

56983

23+24

原装正品,原盘原标,提供BOM一站式配单

深圳市鸿鼎业科技有限公司

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DIODESSOT23-6

1316

2036+

深圳市浩睿泽电子科技有限公司

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    深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19

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DIODESSOT23-6

4326

新批次

深圳市跃创芯科技有限公司

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DIODES/美台SOT23-6

12000

22+

只做原装、原厂优势渠道、假一赔十

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ZXGD3003E6TA价格

ZXGD3003E6TA价格:¥1.3356品牌:Diodes

生产厂家品牌为Diodes的ZXGD3003E6TA多少钱,想知道ZXGD3003E6TA价格是多少?参考价:¥1.3356。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,ZXGD3003E6TA批发价格及采购报价,ZXGD3003E6TA销售排行榜及行情走势,ZXGD3003E6TA报价。

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ZXGD3003E6TA功能描述:功率驱动器IC 5A Gate Driver Mosfet RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号:

    ZXGD3003E6TA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    单路

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    40V(最大)

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    5A,5A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    8.9ns,8.9ns

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-23-6

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-6

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6